| Patent Number | CN102312217B |
| Status | 已授權 Granted |
| 采用复合模式生长半导体薄膜的方法及装置 | |
| 2013-04-17 | |
| Application Number | CN201110262400.6 |
| Application Date | 2011-09-06 |
| Rights Holder | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 单崇新; 鞠振刚; 倪佩楠; 李炳辉; 王双鹏; 申德振 | |
| Date Available | 2013-04-17 |
| Country | 中国 China |
| Abstract | 复合模式生长半导体薄膜的方法及装置，涉及半导体材料生长技术及设备制造领域。解决现有技术制备方法制备的薄膜结晶质量差、生产速率慢的问题。通入ALD反应前驱体A在衬底表面形成单原子层；再通入ALD反应前驱体B与ALD反应前驱体A反应，形成单层A-B薄膜；重复以上步骤形成多层的-A-B-A-B-A-B-薄膜；然后同时通入MOCVD反应前驱体A和MOCVD反应前驱体B在衬底上方发生化学反应，再与多层的-A-B-A-B-A-B-薄膜结合，获得复合模式生长的半导体薄膜。本方法有效结合两种生长方式的优点，实现两种生长模式的复合生长模式，易于大规模的工业化生产。本发明还提供了复合模式生长半导体薄膜的装置。 |
| Language | 中文Chinese |
| Open (Notice) Number | CN102312217B |
| IPC Classification Number | C23C16/44 ; C23C16/455 |
| Patent Agent | 陶尊新 |
| Agency | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 |
| Document Type | Patent |
| Collection | University of Macau |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 单崇新,鞠振刚,倪佩楠,等. 采用复合模式生长半导体薄膜的方法及装置. CN102312217B[P]. 2013-04-17. |
| APA | 单崇新., 鞠振刚., 倪佩楠., 李炳辉., 王双鹏., & 申德振 (2011-09-06). 采用复合模式生长半导体薄膜的方法及装置. |
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