| Patent Number | CN103726026B |
| Status | 已授權 Granted |
| 采用氧化物陶瓷靶磁控溅射制备薄膜的方法 | |
| 2016-03-02 | |
| Application Number | CN201410012303.5 |
| Application Date | 2014-01-10 |
| Rights Holder | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 张振中; 申德振; 武晓杰; 王双鹏; 姜明明; 李炳辉 | |
| Date Available | 2016-03-02 |
| Country | 中国 China |
| Abstract | 本发明公开了一种采用氧化物陶瓷靶磁控溅射制备薄膜的方法，属于磁控溅射法制备薄膜技术领域。解决了现有技术中采用金属靶制备金属氧化物薄膜的制备成本高、溅射不均匀，采用氧化物陶瓷靶制备氧化物薄膜时，沉积速率低的技术问题。本发明采用射频磁控溅射设备溅射难溅射的氧化物陶瓷靶，采用以氩气为主要溅射气体，以氢气或者氢气和氧气一起作为辅助溅射气体，通过选择合适的气体比例、溅射功率、磁控溅射室压力等参数，通过氢气的还原作用对氧化物陶瓷靶表面还原，提高溅射效率，结合后期退火处理，沉积高质量氧化物薄膜。本发明的方法显著提高薄膜生长速率，并且薄膜表面平整，重复性好。 |
| Language | 中文Chinese |
| Open (Notice) Number | CN103726026B |
| IPC Classification Number | C23C14/35 ; C23C14/08 ; C23C14/10 |
| Patent Agent | 王丹阳 |
| Agency | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 |
| Document Type | Patent |
| Collection | University of Macau |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 张振中,申德振,武晓杰,等. 采用氧化物陶瓷靶磁控溅射制备薄膜的方法. CN103726026B[P]. 2016-03-02. |
| APA | 张振中., 申德振., 武晓杰., 王双鹏., 姜明明., & 李炳辉 (2014-01-10). 采用氧化物陶瓷靶磁控溅射制备薄膜的方法. |
| Files in This Item: | There are no files associated with this item. | |||||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment